真正免费毛片在线播放_国产午夜成人免费看片_女人被弄高潮视频免费_熟女50p_精品一区二区三区无码免费直播

網(wǎng)站導(dǎo)航
產(chǎn)品分類點擊展開+
PRODUCTS
誠信天下,質(zhì)得信任

共創(chuàng)共贏

網(wǎng)站首頁技術(shù)支持 ◇ 鈍化產(chǎn)品CVD涂層特點及優(yōu)勢簡述

鈍化產(chǎn)品CVD涂層特點及優(yōu)勢簡述

  • 更新時間:2022-05-25      信息來源:本站      瀏覽次數(shù):2250
    • 鈍化技術(shù)是在材料表面涂覆CVD涂層來實現(xiàn)的,而CVD是一種通過化學(xué)氣相沉積應(yīng)用于材料表面技術(shù)的方法,它應(yīng)用氣態(tài)物質(zhì)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)和傳輸反應(yīng)等并產(chǎn)生固態(tài)沉積物的一種工藝,它大致包含三步:

      1)形成揮發(fā)性物質(zhì) ;

      2)把上述物質(zhì)轉(zhuǎn)移至沉積區(qū)域 ;

      3)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)并產(chǎn)生固態(tài)物質(zhì)

      SilcoTek®公司CVD(化學(xué)氣相沉積)是一種將揮發(fā)性引發(fā)劑和功能單體氣(通常是在真空下)注入腔體內(nèi)的反應(yīng)過程,負(fù)壓進行沉積通常真空沉積膜層質(zhì)量好,腔室加熱到反應(yīng)溫度,使引發(fā)劑氣體發(fā)生反應(yīng)或分解生成所需的涂層,并與材料表面有機的結(jié)合。隨著時間推移,涂覆氣體逐漸形成在材料表面上,其在暴露部分的表面形成均勻的涂層。例如想把硅涂附著在材料表面,使用三氯硅烷(SiHCl3) 引發(fā)劑,當(dāng)SiHCl3在腔室加熱時,發(fā)生分解和產(chǎn)生的硅涂層在材質(zhì)表面上,反應(yīng)如下:
                 SiHCl3 → Si + Cl2 + HCl
        硅將有機的結(jié)合到任何暴露的表面(內(nèi)部和外部),而氯氣和鹽酸氣體副產(chǎn)品將從腔室排放出來,其廢氣的處理根據(jù)當(dāng)?shù)氐姆ㄒ?guī)要求進行清除、處理。

      鈍化技術(shù)是以材料表面涂覆CVD涂層來實現(xiàn)的,CVD是一種通過化學(xué)氣相沉積的方法應(yīng)用于材料表面的技術(shù)。

      SilcoTek®公司CVD涂層系統(tǒng)中使用的材料大致有從硅化合物到碳化合物、氟碳或有機氟,以及類似氮化鈦這樣的氮化物。一些材料如硅,可以通過摻雜不同氣,使表面(改變或添加額外的化學(xué)物質(zhì))來進一步增強涂層的功能,以達(dá)到特定的性能目的和指標(biāo)。

      化學(xué)氣相沉積不同于物理氣相沉積(PVD)等其他常見的涂層應(yīng)用方法,這些與化學(xué)氣相沉積相比,大多數(shù)常見的涂層噴涂工藝會導(dǎo)致可近外盲區(qū)不均勻或沒有的涂覆產(chǎn)生,化學(xué)氣相沉積涂層可以使應(yīng)用于涂層的氣體能進入的任何區(qū)域,如上圖形象看出兩種涂覆的區(qū)別了。

      SilcoTek®公司CVD涂層工藝的特點:

      ▲在高溫下應(yīng)用可以促進反應(yīng);

      ▲涂裝前必須清除零件表面的污染物;

      ▲涂層的化學(xué)成分可以隨氣相組成的改變而變化,從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。

      ▲可以通過各種反應(yīng)形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。

      ▲涂層氣體將覆蓋零件的所有區(qū)域,包括螺紋、盲孔、檢測器(PDHID)和內(nèi)部表面;

      ▲涂層在反應(yīng)過程中粘結(jié)到材料表面,與其他類型的PVD涂層相比,具有附著力、穩(wěn)定性。

      SilcoTek®公司CVD涂層的優(yōu)勢:

        ▲可廣泛應(yīng)用于各種基材:金屬和金屬合金、陶瓷,玻璃等;

      ▲可噴涂精密和復(fù)雜材質(zhì)表面,包括密封區(qū)域和內(nèi)部表面;

      ▲能承受低溫、高溫溫度變化;

      ▲持久的涂層與基材結(jié)合,意味著涂層在高應(yīng)力環(huán)境中也保持結(jié)合,即使基材表面彎曲也能保持耐彎曲性能。通過各種技術(shù)對化學(xué)反應(yīng)進行氣相擾動,以改善其結(jié)構(gòu)。

       

       

       

    北京明尼克分析儀器設(shè)備中心

    北京明尼克分析儀器設(shè)備中心

    聯(lián)系人:薛海玲  電話:010-84723211  郵箱:xuehail@163.com  總部地址:北京市朝陽區(qū)望京西園222號星源國際D座1503室

    研發(fā)中心:北京市平谷區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)興谷A區(qū)平和街39號院(聯(lián)東U谷)22號樓C區(qū)

    版權(quán)所有 © 2024 北京明尼克分析儀器設(shè)備中心  總流量:979876  備案號:京ICP備10037012號-2

    管理登陸  網(wǎng)站地圖  技術(shù)支持:化工儀器網(wǎng)